1 Arséniure de cadmium[modifier]

Arséniure de cadmium (CdAs) est un composé chimique semi-conducteur constitué de cadmium et d'arsenic. Ce matériau III-V possède des propriétés optoélectroniques remarquables, ce qui le rend essentiel dans divers domaines technologiques, notamment les détecteurs infrarouges, les diodes laser et les cellules photovoltaïques.

1.1 Structure chimique et propriétés de l'arséniure de cadmium[modifier]

L'arséniure de cadmium cristallise généralement dans une structure de type zinc-blende, caractéristique des semi-conducteurs III-V. La liaison chimique entre le cadmium et l'arsenic confère au CdAs une bande interdite (gap) directe d'environ 1,5 eV, adaptée aux applications optiques dans le proche infrarouge.

  • Formule chimique : CdAs
  • Masse molaire : 183,32 g·mol⁻¹
  • Structure cristalline : zinc-blende (cubique)
  • Largeur de bande interdite : ~1,5 eV (indirecte ou directe selon la phase)
  • Conductivité : semi-conducteur
Structure cristalline d'arséniure de cadmium
Structure cristalline d'arséniure de cadmium (CdAs) en zinc-blende

1.2 Applications technologiques de l'arséniure de cadmium[modifier]

L’arséniure de cadmium est surtout utilisé dans les secteurs suivants :

1.2.1 Détecteurs infrarouges[modifier]

Grâce à sa sensibilité dans le proche infrarouge, le CdAs est un matériau clé pour la fabrication de détecteurs infrarouges dans les systèmes militaires et civils, tels que les caméras thermiques et les capteurs à haute performance.

1.2.2 Diodes laser et optoélectronique[modifier]

Le CdAs sert dans la fabrication de diodes laser efficaces et de composants optoélectroniques utilisés dans les télécommunications et pour le transfert optique de données.

1.2.3 Cellules photovoltaïques[modifier]

Bien que moins répandu que le tellurure de cadmium (CdTe), l'arséniure de cadmium est étudié pour son potentiel dans les cellules solaires à haut rendement, en particulier dans les dispositifs à couches minces.

1.3 Synthèse, purification et sécurité[modifier]

La synthèse de l'arséniure de cadmium s'effectue par des méthodes telles que la croissance par épitaxie en phase vapeur ou la fusion réactive de sources pures de cadmium et d'arsenic à haute température.

Méthode de synthèse Description
Épitaxie en phase vapeur (VPE) Croissance contrôlée de couches minces sur substrats adaptés
Fusion à haute température Réaction directe des éléments en conditions anhydres

Attention: L’arséniure de cadmium est toxique et cancérogène. La manipulation exige des précautions rigoureuses en laboratoire, notamment une ventilation adéquate, des équipements de protection individuelle et une élimination conforme des déchets.

1.4 Liens externes et ressources supplémentaires[modifier]

1.5 Voir aussi[modifier]

1.6 Références[modifier]

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